为了探究不同高度条形缺陷的梁构件动态裂纹扩展规律, 在三点弯曲梁中设计高度分别为22 mm、28.5 mm、35 mm的条形缺陷, 通过数字激光动态焦散线实验系统和落锤冲击试验系统进行研究。结果表明: 不同高度条形缺陷的三点弯曲梁在落锤冲击实验中, 裂纹扩展速度和应力强度因子受缺陷高度影响分两个阶段。第一阶段随着缺陷高度的增加, 裂纹最大扩展速度分别为247.49 m/s、292.49 m/s与284.99 m/s, 呈现先上升后趋于稳定的态势, 起裂应力强度因子随着缺陷高度的增加而变大, 分别为1.480 MPa/m3/2、1.665 MPa/m3/2、1.812 MPa/m3/2; 第二阶段随着缺陷高度的增加,裂纹起裂扩展速度逐步减小分别为634.42 m/s、524.97 m/s、377.67 m/s, KⅠ型起裂应力强度因子逐步减小分别为3.281 MPa/m3/2、3.192 MPa/m3/2、2.876 MPa/m3/2, KⅡ型起裂应力强度因子逐步增大分别为1.254 MPa/m3/2、1.319 MPa/m3/2、1.398 MPa/m3/2, KⅠ-KⅡ复合型应力强度因子经偏转化为KⅠ型应力强度因子。研究结果可为不同形状和不同位置的缺陷构件的动态响应问题提供理论参考。

采用水热方法在蓝宝石衬底上制备出垂直衬底生长的氧化锌纳米柱阵列。分别通过扫描电镜、X射线衍射和光致发光光谱等表征了氧化锌纳米柱阵列的形貌、结构和光学性质。这种纳米柱在空气中对甲基紫显示出良好的光催化性能。空气中的氧气和水蒸气对光降解性能有重要的影响。这种纳米柱对于固态污染物的光降解处理有着潜在的应用前景, 是一种高效、可循环使用的光催化剂。

Cu₂ZnSn(S, Se)₄(CZTSSe) thin films were deposited on flexible substrates by three evaporation processes at high temperature. The chemical compositions, microstructures and crystal phases of the CZTSSe thin films were respectively characterized by inductively coupled plasma optical emission spectrometer (ICP-OES), scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffraction (XRD) and Raman scattering spectrum. The results show that the single-step evaporation method at high temperature yields CZTSSe thin films with nearly pure phase and high Sn-related phases. The elemental ratios of Cu/(Zn+Sn)=1.00 and Zn/Sn=1.03 are close to the characteristics of stoichiometric CZTSSe. There is the smooth and uniform crystalline at the surface and large grain size at the cross section for the films, and no other phases exist in the film by XRD and Raman shift measurement. The films are no more with the Sn-related phase deficiency.